晶體諧振器振蕩電路元件功能介紹；

 Rf:反饋電阻

 反饋電阻決定振蕩電路的偏置。正常情況下，由于TTL集成電路的低輸入/輸出阻抗，C-MOS集成電路使用的反饋電阻在100ω到10m(通常為1ω)之間，而TTL集成電路使用的反饋電阻在1kω到10kΩ(通常為4.7KΩ)之間。如果反饋電阻過(guò)大，反饋量會(huì )減少，導致工作點(diǎn)不穩定。如果反饋電阻太小，增益會(huì )降低或電流會(huì )增加。目前，大多數集成電路使用反饋電阻。

 Rd:阻尼電阻

 阻尼電阻和負載電容可以充當低通濾波器，通過(guò)降低高頻范圍內的增益來(lái)抑制異常諧波振蕩。此外，集成電路的增益也可以受到限制，使得CERALOCK可以與集成電路更好地匹配，從而抑制無(wú)用的振鈴、過(guò)沖和欠沖。在千赫波段，阻尼電阻應該是幾千歐姆，而在兆赫波段，阻尼電阻應該在幾十歐姆到幾百歐姆之間。阻尼電阻可以是可選的。

 CL1/CL2:負載電容

 該參數對于確定振蕩電路的穩定性非常重要。如果負載電容太小，振蕩波形會(huì )變形，導致振蕩不穩定。相反，如果負載電容過(guò)大，振蕩將停止。與相同的集成電路相比，振蕩電路將產(chǎn)生更低的頻率，并且需要更大的靜電容量。

 Rb:偏置電阻

 如果集成電路增益過(guò)大或使用TTL和三相緩沖集成電路，為了降低集成電路增益或抑制不穩定振蕩，可以使用偏置電阻有目的地改變偏置點(diǎn)。碳-金屬氧化物半導體集成電路使用電阻值為1ω至10ω的偏置電阻，TTL使用電阻值為1ω至10ω的偏置電阻。

       晶體諧振器工作原理相關(guān)介紹

晶體是指原子、分子或離子以規則和重復的模式向各個(gè)方向延伸的固體  

晶體和幾乎所有彈性物質(zhì)都有自然共振頻率，可以通過(guò)適當的傳感器加以利用。  例如，鋼彈性好，聲速快。在應時(shí)晶體被廣泛使用之前，鋼被用作機械過(guò)濾器。  共振頻率取決于晶體大小、形狀、彈性和物質(zhì)中聲音的速度。  高頻晶體通常被切割成簡(jiǎn)單的形狀，如正方形薄片。  典型的低頻晶體通常被切割成音叉形狀，例如手表中使用的那些。  如果不需要太高的精度，可以使用陶瓷諧振器代替石英晶體諧振器。  

當使用應時(shí)晶體上的電極向正確切割和放置的應時(shí)晶體施加電場(chǎng)時(shí)，晶體將變形  這是逆壓電效應  當施加的電場(chǎng)被移除時(shí)，應時(shí)晶體將返回其原始狀態(tài)并發(fā)射電場(chǎng)，從而在電極上產(chǎn)生電壓。  這種特性使得應時(shí)晶體在類(lèi)似于由電感器、電容器和電阻器組成的RLC電路的電路中工作。  電感和電容組合的諧振頻率反映了應時(shí)晶體的真實(shí)諧振頻率。  

石英晶體諧振器的優(yōu)點(diǎn)是，當溫度變化時(shí)，影響振蕩頻率的彈性系數和尺寸略有變化，因此頻率特性穩定。  共振特性還取決于振動(dòng)模式和應時(shí)(相對于晶軸)之間的切割角度。目前，AT切削是常用的切削方式，其振動(dòng)是厚度剪切振動(dòng)模式。  此外，在要求高精度和穩定性的嚴格情況下，應時(shí)晶體將被放置在晶體爐和振動(dòng)吸收容器中，以防止外部溫度和振動(dòng)的干擾。