MEMS技術(shù)用于HFF晶體單元/HFF振蕩器，使高頻產(chǎn)品能夠直接以基波起振。
    不同于傳統(tǒng)機(jī)械加工將晶片整體變薄，光刻加工僅減少驅(qū)動(dòng)電極左近的厚度（反向臺(tái)構(gòu) 造），堅(jiān)持芯片強(qiáng)度。這樣以來，百M(fèi)Hz 的高頻晶振能夠直接以基波起振，不用以中低頻成熟產(chǎn)品作為基準(zhǔn)頻率源。光刻加工的HFF振蕩用具有[敏感詞]的抗震性以及較低的相位 噪聲，適用于光傳輸安裝、基站等通訊根底設(shè)置。

    國產(chǎn)企業(yè)打破光刻技術(shù)，推進(jìn)產(chǎn)品向小型化、高精度趨向展開。

    石英晶體硬度及理化性質(zhì)穩(wěn)定，頻率根本不隨溫度變化，由此產(chǎn)生的內(nèi)部振蕩損失也小，十分適宜精細(xì)制造。同時(shí)，區(qū)別于傳統(tǒng)的機(jī)械式加工消費(fèi)方式，改進(jìn)的制程更便于 批量消費(fèi)，能夠在保證小型化的同時(shí)把傾向控制在小限度內(nèi)，從而使產(chǎn)品具備小型化、低耗電、高穩(wěn)定、高頻率的優(yōu)勢。
    應(yīng)用QMEMS技術(shù)的微型化產(chǎn)品與傳統(tǒng)機(jī)械加工消費(fèi)的晶振前端工藝區(qū)別為：
      1）微型化產(chǎn)品切割環(huán)節(jié)不是一次性切割成為單個(gè)音叉晶體單元， 而是首先切割成能夠匯合上千支晶片單元的大方片；
      2）音叉晶片及電極成型環(huán)節(jié)采用雙面光刻工藝，在WAFER片上中止光刻、金屬蒸鍍、激光調(diào)頻等集成處置，單個(gè)音叉單元尺寸極小。