晶體振蕩器，它可以產(chǎn)生中央處理單元（CPU）執行指令所需的時(shí)鐘頻率信號。所有CPU指令的執行都基于此。時(shí)鐘信號頻率越高，CPU通常運行，速度越快。所有包含CPU的電子產(chǎn)品都包含至少一個(gè)時(shí)鐘源。即使我們沒(méi)有在電路板中看到實(shí)際的振蕩器電路，晶體振蕩器也集成在芯片內部，芯片通常被稱(chēng)為電路系統的核心。一旦心臟停止跳動(dòng)，整個(gè)板可能會(huì )癱瘓。因此，晶體振蕩器的質(zhì)量是許多制造商最終選擇的基礎！因此，許多客戶(hù)對晶體振蕩器有完全的信任感。近年來(lái)，臺灣TXC晶體振蕩器也受到國內廠(chǎng)商的高度關(guān)注。
晶振不容忽視的四個(gè)參數

1，頻次單元，頻次單元常常分為KHZ與MHZ，而閉于于有源晶振和無(wú)源晶振來(lái)道，32.768K晶振既存留KHZ的單元，也存留MHZ的單元，因此頻次的單元必定要尺度清楚。

2，精度央求，貼片晶振最高精度常常為10PPM比擬罕睹，比擬特別的精度央求得訂貨。其次15ppm，20ppm，25ppm，30ppm，50ppm的等第順序分散。插件晶振以圓柱晶振為例，5ppm是其圓柱晶振中精度最高的一個(gè)等第，其次10ppm，20ppm，30ppm.

3，負載電容，負載電容偶爾間是一個(gè)十分至閉要害的參數，假如晶振的負載電容與晶振外部二端對交的電容參數配合沒(méi)有精確的話(huà)，很輕易形成頻次偏向，精度缺點(diǎn)等等，進(jìn)而引導產(chǎn)物無(wú)法到達最后的精確央求。天然也存留閉于負載電容參數沒(méi)有是特別莊重的廠(chǎng)家，那么咱們說(shuō)說(shuō)閉于音叉晶體一齊，罕睹的負載電容有6PF，7PF，9PF，12.5PF；MHZ晶振罕睹的負載電容以20PF和12PF最為廣大，其次8PF，9PF，15PF，18PF等等比擬常用。

其余，負載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨交晶體二端的總的靈驗電容（沒(méi)有是晶振外交的配合電容），重要作用負載諧振頻次和等效負載諧振電阻，與晶體所有決斷振動(dòng)器電路的處事頻次，經(jīng)過(guò)安排負載電容，便不妨將振動(dòng)器的處事頻次微調到標稱(chēng)值。更精確而言，無(wú)源晶體的負載電容是一項十分要害的參數，由于無(wú)源晶體屬于被迫元器件，所謂的被迫元器件等于自己沒(méi)有能處事，須要外部元器件協(xié)幫處事，無(wú)源晶體等于！

 其中:

  CS是晶體兩個(gè)引腳之間的寄生電容(也稱(chēng)為晶體振蕩器靜態(tài)電容或關(guān)斷電容)。具體數值可在晶體的規格中找到，一般范圍為0.2pF~8pF至8pF。如圖2所示，32.768千赫的電參數具有0.85℉的典型寄生電容(表中使用鈷)。

  CG指從晶體振蕩器電路的輸入引腳到GND的總電容，其電容是以下三個(gè)部分的總和。

  ●應增加從外部晶體振蕩器主芯片管腳芯到GND的寄生電容ci

  ●從晶體振蕩器電路的印刷電路板跡線(xiàn)到GND的寄生電容CPCB

  ●外部匹配電容CL1并聯(lián)到電路外部增加的GND

  CD指從晶體振蕩器電路的輸入引腳到GND的總電容。公差值是以下三個(gè)部分的總和。

  ●應增加從外部晶體振蕩器主芯片管腳芯到GND的寄生電容，co

  ●從晶體振蕩器電路的印刷電路板跡線(xiàn)到CPCB gnd的寄生電容

  ●與GND CL2并聯(lián)的外部匹配電容，在電路外部增加

  由于晶體振蕩器的負載電容是一個(gè)非常重要的參數，如果該參數與外部電容不匹配，會(huì )發(fā)生什么情況？晶體振蕩器兩端的等效電容與晶體振蕩器的標稱(chēng)負載電容不匹配。晶體振蕩器輸出的諧振頻率將與標稱(chēng)工作頻率有一定偏差(也稱(chēng)為頻率偏移)。負載電容主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。它決定振蕩器和石英諧振器的工作頻率。通過(guò)調整負載電容，振蕩器的工作頻率通?？梢哉{整到標稱(chēng)值。在應用中，我們通常在外部連接電容，使晶體振蕩器兩端的等效電容等于或接近負載電容。對于要求較高的場(chǎng)合，我們還需要考慮ic輸入端對地電容，以便晶體振蕩器的頻率能夠達到標稱(chēng)頻率。因此，合理匹配適當的外部電容非常重要，以便晶體振蕩器兩端的等效電容等于或接近負載電容。

  負載電容的常用標準值為12.5 pF、16 pF、20 pF和30pF。負載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線(xiàn)性的。當負載電容變小時(shí)，頻率偏差變大。當負載電容增加時(shí)，頻率偏差減小。圖3是示出負載電容和晶體頻率之間的誤差的曲線(xiàn)圖。

  晶體振蕩器的四個(gè)重要參數

  例外:

  目前許多芯片都增加了內部電容，所以在設計時(shí)，只需要選擇芯片數據表推薦的負載電容值的晶體，不需要額外的電容。然而，由于實(shí)際設計的寄生電路的不確定性，最好保留CL1/CL2的位置。

  4.溫度參數，通常我們指的是工作溫度，因為不同的產(chǎn)品需要不同的參數，例如，汽車(chē)等級的溫度需要為-40到105攝氏度，工業(yè)等級需要為-40到85攝氏度，消費品需要為-20到75攝氏度的常規溫度。這也是為什么我們的晶體振蕩器人們通常會(huì )問(wèn)客戶(hù)他們生產(chǎn)什么產(chǎn)品的原因之一。只有真正了解客戶(hù)的產(chǎn)品用途后，我們才能判斷客戶(hù)所需晶體振蕩器的溫度參數。